Pure Appl. Chem., 2008, Vol. 80, No. 10, pp. 2141-2150
http://dx.doi.org/10.1351/pac200880102141
Nanocrystalline silicon carbide films for solar photovoltaics: The role of dangling-bond defects
References
- 1. Y. Hamakawa, H. Okamoto, Y. Tawada. Int. J. Sol. Energy 1, 125 (1982).
- 2. Y. Tawada, K. Tsuge, M. Kondo, H. Okamoto, Y. Hamakawa. J. Appl. Phys. 53, 5273 (1982). (http://dx.doi.org/10.1063/1.331363)
- 3. S. Y. Myong, H. K. Lee, E. Yoon, K. S. Lim. J. Non-Cryst. Solids 298, 131 (2002). (http://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(02)00916-X)
- 4. S. Guha. J. Non-Cryst. Solids 198-200, 1076 (1996). (http://dx.doi.org/10.1016/0022-3093(96)00047-6)
- 5. K. S. Lim, M. Konagai, K. Takahashi. J. Appl. Phys. 56, 538 (1984). (http://dx.doi.org/10.1063/1.333943)
- 6. W. Y. Kim, H. Tasaki, M. Konagai, K. Takahashi. J. Appl. Phys. 61, 3071 (1987). (http://dx.doi.org/10.1063/1.337806)
- 7. C. H. Lee, J. W. Jeon, K. S. Lim. J. Appl. Phys. 87, 8778 (2000). (http://dx.doi.org/10.1063/1.373610)
- 8. S. Y. Myong, T. H. Kim, K. S. Lim, K. H. Kim, B. T. Ahn, S. Miyajima, M. Konagai. Sol. Energy Mater. Sol. Cells 81, 485 (2004). (http://dx.doi.org/10.1016/j.solmat.2003.12.002)
- 9. S. Y. Myong, S. S. Kim, K. S. Lim. J. Appl. Phys. 95, 1525 (2004). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1639140)
- 10. G. M. Ferreira, C. Chen, R. J. Koval, J. M. Pearce, C. R. Wronski, R. W. Collins. J. Non-Cryst. Solids 338-340, 694 (2004). (http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2004.03.062)
- 11. S. Guha, J. Yang, P. Nath, M. Hack. Appl. Phys. Lett. 49, 218 (1986). (http://dx.doi.org/10.1063/1.97176)
- 12. A. Dasgupta, S. Ghosh, S. Ray. J. Mater. Sci. Lett. 14, 1037 (1995). (http://dx.doi.org/10.1007/BF00258157)
- 13. R. Schropp. Thin Solid Films 403-404, 17 (2002). (http://dx.doi.org/10.1016/S0040-6090(01)01653-4)
- 14. A. L. Baia Neto, A. Lambertz, R. Carius, F. Finger. Phys. Status Solidi 186, R4 (2001). (http://dx.doi.org/10.1002/1521-396X(200107)186:1<R4::AID-PSSA99994>3.0.CO;2-F)
- 15. O. Chevaleevski, S. Y. Myong, K. S. Lim. Solid State Commun. 128, 355 (2003). (http://dx.doi.org/10.1016/j.ssc.2003.08.040)
- 16. O. I. Shevaleevskii, A. A. Tsvetkov, L. L. Larina, S. Y. Myong, K. S. Lim. Semiconductors 38, 528 (2004). (http://dx.doi.org/10.1134/1.1755884)
- 17. O. I. Shevaleevskiy, S. Y. Myong, K. S. Lim, S. Miyadjima, M. Konagai. Semiconductors 39, 709 (2005). (http://dx.doi.org/10.1134/1.1944863)
- 18. S. Y. Myong, K. S. Lim. Appl. Phys. Lett. 86, 1 (2005). (http://dx.doi.org/10.1063/1.1853492)
- 19. J. H. Yang, K. S. Lim. Appl. Phys. Lett. 71, 1846 (1997). (http://dx.doi.org/10.1063/1.119418)
- 20. J. W. Lee, K. S. Lim. Appl. Phys. Lett. 68, 1031(1996). (http://dx.doi.org/10.1063/1.116238)
- 21. D. Han, G. Yue, J. D. Lorentzen, J. Lin. J. Appl. Phys. 87, 1882 (2000). (http://dx.doi.org/10.1063/1.372108)
- 22. S. Veprek, F. A. Sarott, Z. Iqbal. Phys. Rev. B 36, 3344 (1987). (http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.36.3344)
- 23. Z. Iqbal, S. Veprek. J. Phys. C 15, 377 (1982).
- 24. E. Bustarret, M. A. Hachicha, M. Brunel. Appl. Phys. Lett. 52, 1675 (1988). (http://dx.doi.org/10.1063/1.99054)
- 25. F. Demichelis, C. F. Pirri, E. Tresso. J. Appl. Phys. 72, 1327 (1982). (http://dx.doi.org/10.1063/1.351742)
- 26. X. Liu, G. Xu, Y. Sui, Y. He, X. Bao. Solid State Commun. 119, 397 (2001). (http://dx.doi.org/10.1016/S0038-1098(01)00246-0)
- 27. F. Finger, J. Muller, C. Malten, R. Carius, H. Wagner. J. Non-Cryst. Solids 266-269, 511 (2000). (http://dx.doi.org/10.1016/S0022-3093(99)00802-9)
- 28. U. K. Das, T. Yasuda, S. Yamasaki. Phys. Rev. Lett. 85, 2324 (2000). (http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevLett.85.2324)